SK海力士宣布已于7月初開始量產適用第四代10納米（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb）LPDDR4 移動端DRAM產品。

自從10納米級DRAM產品開始，半導體業(yè)內將每一代工藝節(jié)點都以標注英文字母的方式起名，此次SK海力士量產的1a納米級工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節(jié)點。公司預計從下半年開始向智能手機廠商供應適用1a納米級技術的移動端DRAM。

工藝的極度細微化趨勢使半導體廠商陸續(xù)導入EUV設備，并將其投入在晶圓上繪制電路的光刻工藝當中。業(yè)界認為采用EUV技術的水平將成為今后決定技術領導地位的重要因素。SK海力士通過此次量產確保了EUV工藝技術的穩(wěn)定性，并表示未來的1a納米級 DRAM都將采用EUV工藝進行生產。

SK海力士期待通過新產品生產效率的提升得以確保更高的成本競爭力。相較前一代1z納米級工藝的同樣規(guī)格產品，1a納米級DRAM在每一張晶圓中可產出的產品數量約提高了25%。在今年全球DRAM需求持續(xù)增長的背景下，公司期待1a納米級DRAM在全球存儲半導體供需中扮演重要角色。

此次新產品穩(wěn)定支持 LPDDR4 移動端DRAM規(guī)格的最高速度（4266Mbps），并相較前一代產品其功耗也降低了約20%. SK海力士認為此次新產品進一步強化了低功耗的優(yōu)勢，助力碳排放量的減少，充分體現了SK海力士注重ESG（環(huán)境、社會、公司治理）經營的精神理念。

在本次LPDDR4產品之后，SK海力士還計劃從明年初開始將1a納米級工藝導入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。

LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格?！癉DR” 為電子工程設計發(fā)展聯合協會(Joint Electron Device Engineering Council，簡稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標準名稱，DDR1-2-3-4為其順序進行換代。（美通社,2021年7月12日韓國首爾）