6月30日，作為先進的半導體技術(shù)廠商之一的三星電子宣布, 基于3納米（nm）全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT,簡稱 GAA）制程工藝節(jié)點的芯片已經(jīng)開始初步生產(chǎn)。

相較三星5納米（nm）而言，優(yōu)化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%。三星電子首次實現(xiàn)GAA"多橋-通道場效應晶體管"（簡稱: MBCFETTM  Multi-Bridge-Channel FET）應用打破了FinFET技術(shù)的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時還通過增加驅(qū)動電流增強芯片性能。三星首先將納米片晶體管應用于高性能、低功耗計算領(lǐng)域的半導體芯片，并計劃將其擴大至移動處理器領(lǐng)域。（美通社,2022年6月30日深圳）