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中芯國際與美國高通公司合作推進中國28納米晶圓制造

中芯國際集成電路制造有限公司
2014-07-03 16:30 7230
中芯國際將與美國高通公司的子公司 -- 美國高通技術公司在28納米工藝制程和晶圓制造服務方面緊密合作,在中國制造高通驍龍?zhí)幚砥鳌?

上海2014年7月3日電 /美通社/ -- 中國內(nèi)地規(guī)模較大、技術先進的集成電路晶圓代工企業(yè) -- 中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”,紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯(lián)交所股票代碼:981)與美國高通公司(納斯達克:QCOM)共同宣布,中芯國際將與美國高通公司的子公司 -- 美國高通技術公司(Qualcomm Technologies, Inc.)在28納米工藝制程和晶圓制造服務方面緊密合作,在中國制造高通驍龍?處理器。美國高通技術公司是全球較大的無晶圓廠半導體供應商之一和全球3G、4G及下一代無線技術的領軍企業(yè),其驍龍?zhí)幚砥鲗橐苿咏K端而設計。該合作將會提升中芯國際28納米制程的成熟度及產(chǎn)能,也使其成為中國本土率先為美國高通技術公司部分最新的驍龍?zhí)幚砥魈峁?8納米多晶硅 (PolySiON) 和28納米高介電常數(shù)金屬閘極 (HKMG) 工藝制程產(chǎn)品的半導體代工企業(yè)之一。

中芯國際此前已為美國高通技術公司的電源管理、無線及連接 IC 產(chǎn)品提供不同工藝制程的支持。通過在28納米技術及晶圓制造服務上的新協(xié)作,中芯國際將進一步強化與美國高通技術公司的戰(zhàn)略合作關系,并共同為不斷增長的移動通信行業(yè)帶來新的28納米設計和產(chǎn)品。未來,中芯國際還會將其技術延伸到3DIC 以及射頻前端 (RF front-end) 晶圓制造,以支持美國高通技術公司不斷擴展的驍龍產(chǎn)品組合。

中芯國際首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云博士表示,“我們很高興能夠與美國高通技術公司達成此項合作,這對中芯國際28納米工藝制程的完善以及競爭力的提升具有重要的里程碑意義。這進一步證明了中芯國際的實力和對客戶的承諾,能夠滿足客戶需求并根據(jù)其產(chǎn)品路線,提供所需的先進節(jié)點技術。此次得到美國高通技術公司的支持,我們相信28納米技術將會成為公司重要的增長動力之一。同時我們預期28納米產(chǎn)品生命周期長度將會超越先前的技術節(jié)點,使中芯國際能更好地服務美國高通技術公司,并支持更多的需求。”

美國高通技術公司執(zhí)行副總裁兼 QCT 聯(lián)席總裁 Murthy Renduchintala 表示:“中芯國際是美國高通技術公司的重要供應商之一,其實力和技術產(chǎn)品正不斷提升以滿足我們更高的產(chǎn)品需求。我們很高興能與中芯國際合作,并期待共同在中國開始其28納米產(chǎn)品制造,并執(zhí)行我們的區(qū)域供應鏈戰(zhàn)略。中芯國際正日漸成為我們?nèi)蜻\營中一個更重要的供應商,此項合作也將進一步提升我們在中國這個全球較大的移動消費市場的制造和服務能力?!?/p>

消息來源:中芯國際集成電路制造有限公司
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