韓國(guó)首爾2025年9月23日 /美通社/ -- 韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry今日宣布推出具備業(yè)界領(lǐng)先高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質(zhì) (Thick IMD)電容工藝。

數(shù)字隔離器的高擊穿電壓特性可增強(qiáng)半導(dǎo)體器件的安全性與可靠性，同時(shí)延長(zhǎng)器件的使用壽命并提升抗噪能力。新型多層厚金屬間電介質(zhì) (Thick IMD)工藝支持堆疊最多三層IMD，每層最大厚度達(dá)6微米，從而在金屬-絕緣體-金屬(MIM)結(jié)構(gòu)中，總厚度最高可達(dá)到18微米。該工藝可提供高達(dá)19,000V的擊穿電壓特性及優(yōu)異電容性能，預(yù)計(jì)將用于制造數(shù)字隔離用電容器，以及電子電路中抑制電容耦合的電容器。

采用此工藝制造的電容已成功通過(guò)主要客戶(hù)的經(jīng)時(shí)介電層擊穿(TDDB)評(píng)估，并符合AEC-Q100國(guó)際汽車(chē)半導(dǎo)體質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，確保在嚴(yán)苛環(huán)境下實(shí)現(xiàn)高可靠性運(yùn)行。該工藝尤其可集成到0.13微米及0.18微米BCD工藝技術(shù)中，在汽車(chē)半導(dǎo)體領(lǐng)域具備極高的應(yīng)用價(jià)值。此外，SK keyfoundry還提供PDK（工藝設(shè)計(jì)套件）、DRC（設(shè)計(jì)規(guī)則檢查）、LPE（版圖寄生參數(shù)提?。?、LVS（版圖與電路原理圖一致性檢查）及Pcell（參數(shù)化單元）等設(shè)計(jì)支持工具，助力客戶(hù)加速產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)程。

SK keyfoundry強(qiáng)調(diào)，在電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)、通信及醫(yī)療保健等領(lǐng)域，部分電子設(shè)備對(duì)高抗噪能力有明確要求，與基于傳統(tǒng)光隔離器的設(shè)備相比，此項(xiàng)數(shù)字隔離技術(shù)將在性能、可靠性、集成度及成本效益方面形成顯著競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

SK keyfoundry首席執(zhí)行官Derek D. Lee表示："我們很高興推出業(yè)界領(lǐng)先的用于數(shù)字隔離器的多層厚金屬間電介質(zhì) (Thick IMD)工藝技術(shù)，該技術(shù)正受到電動(dòng)汽車(chē)等電子行業(yè)領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。憑借相比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更出色的大規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，SK keyfoundry將持續(xù)開(kāi)發(fā)高可靠性隔離技術(shù)，不僅為韓國(guó)國(guó)內(nèi)客戶(hù)，還將為包括美國(guó)、中國(guó)大陸和臺(tái)灣地區(qū)在內(nèi)的海外客戶(hù)提供世界級(jí)工藝技術(shù)，滿足客戶(hù)的多樣化需求。"